继INFINEON1988年推出COOLMOS后，2000年初ST推出500V类似于COOLMOS的内部结构，使500V，…
MOSFET的原意是：MOS（metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET( FieldEffect…
功率MOSFET是电压型驱动器件，没有少数载流子的存贮效应，输入阻抗高，因而开关速度可以很高，驱动功率小，电路简单。但功率…
功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1-1所示。其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理…
图1-7 (a)为常用的小功率驱动电路，简单可靠成本低，适用于不要求隔离的小功率开关设备。图1-7 (b)所示驱动电路开关…
截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。 &n…
电路原理如图1-9 (a)所示，N3为去磁绕组，S2为所驱动的功率管。R2为防止功率管栅极、源极端电压振荡的一个阻尼电阻。…
(1)静态特性。MOSFET的转移特性和输出特性如图1-2所示。 图1-2 …
如图1-10所示，VT1、VT2为互补工作，电容C起隔离直流的作用，T1为高频、高磁率的磁环或磁罐。 …
在器件应用时除了要考虑器件的电压、电流、频率外，还必须掌握在应用中如何保护器件，不使器件在瞬态变化中受损害。当然晶闸管是两…
