MOSFET逆变电路的高频电源如图7-12所示，由图可见，逆变侧采用串联电路，经高频变压器输出，逆变器件是MOSFET。按图示，桥臂反并联管是电力MOSFET内置二极管，即VF1～VF4和VD1～VD4实际上就是场效应管一个器件，同时还并联了电容Cs，用来抑制死区期的器件电压变化率，防止器件误导通，降低EMI和关断损耗。

    直流侧采用三相晶闸管可控整流电路，通过改变直流电压Ud实现串联逆变电路交流输出功率的调节，也可以通过改变基波相移角Φ1调功。

    整流电路采用相控方式，为了获得频率自动跟踪能力，电力MOSFET逆变电路也采用自励方式运行，图7-12所示电路采用定角原则实现频率跟踪。

    图7-12    MOSFET高频加热电源