IEGT是电压驱动型带MOS栅极(metal Oxide Semi-conductor)，能控制大电流的电力电子新器件。由于其栅极采用IE（电子加强注入）技术，故能具有和IGBT相同的电压驱动特性，但通态电压大大降低。

    图3-30为IGBT芯片的断面图及通态时N层载流子的分布图。从集电极P层注入的空穴正电子，由于P层对于空穴来说并不形成障碍，故聚向P的空穴单一减少。这样，N层的宽度加大使元件能耐高压，但P层附近的载流子数减小又使得导通电压降增大。这就是IGBT元件为什么不能耐高压的原因。IEGT的内部构造图如图3-31所示。

    图3-30    IGBT的断面图和载流子分布图（阴极附近载流子少）

    图3-31    IEGT的断面图和载流子分布图

    （阴极附近载流子多，电子注入量增加）

    由图3-31可见，IEGT在P层附近的载流子分布状况和IGBT有很大差别，图中特殊的沟状结构和阴极的间隔状引线，对于空穴来说形成了壁障，使得空穴流入了P层的数量减小，相反使电子的注入量增加。IEGT元件由于利用了这种IE技术，加强了电子注入，且精密设计的特殊阴极结构，使通态电压在30A时可降低1V，并做出耐压4.5kV的电压驱动型元件。