产品结构分为平板型和模块型两类。平板型有直径85mm和125mm两种规格。无论是平板型还是模块型，均有内藏反并联二极管，适用于电压型逆变器。平板型适用于高压直流输电场合，可方便将多个元件串联连接。IECT的特性和应用范围如表3-13所示。

    表3-13    EGT的特性和应用范围

    图3-32表示额定电流为1500A的单个平板型IEGT的导通一关断波形。在试验电源电压为Ucc=3.3kV，关断电流达4kA下和GTO进行比较，不仅可省去浪涌电路，且关断时间只有GTO的1/10。

    图3-32    ST15001EGT的导通-关断波形

    (Ucc=3.3kV，关断电流4kA)

    利用IE技术开发出一种低损耗高耐压的MOS型新器件IEGT，由于巧妙的沟状栅极构造，使特性更为理想。此外讲述的是4. 5kV级元件的特性，目前6kV级的IEGT正在开发中。今后，IEGT将有望代替GTO和光触发晶闸管LTT (Light Triggered Thyristor)，在高压大容量领域发挥其作用。