如果用简要的电路图做分析的话，那么如上图，当IGBT的栅极及发射极加上正电压，那么兼容MOSFET的IIGBT就会导通，当IGBT导通后，晶体管两极(集电极、基极)会形成低阻状态，此时晶体管可导通;当IGBT的两极无电压，则MOSFET就会停止导通，晶体管得不到电流供给则晶体管随之停止导通。
IGBT并不是加入电压后即可正常工作，当加在IGBT上的电压过低，IGBT不仅无法正常工作，还可能导致功能的不稳定。而如果电压高于两极之间的耐压值，IGBT则会损坏且不可修复。