IGBT的开通过程与MOSFET的相似，因为开通过程中IGBT在大部分时间作为MOSFET运行，如图1-18所示。

    图1-18    IGBT的开关过程

    开通延迟时间td(on)：从UGE上升至其幅值10%的时刻，到ic上升至10% ICM。

    电流上升时间tr：iC从10% ICM上升至90% ICM所需时间。

    开通时间ton：开通延迟时间与电流上升时间之和，UCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段。

   tfv1：IGBT中MOSFET单独工作的电压下降过程。

   tfv2：MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程。

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