一、绝缘栅双极晶体管结构特点    绝缘栅双极晶体管简称IGBT，是由美国RCA和GE公司于1982年发明的新型半导体功率器件，是一种电力电子开关器件，在电力电子产品中应用越来越广泛，例如交流电动机调速变频器、中大功率开关电源、不间断电源、电焊机逆变电源、电子镇流器等。    绝缘栅双极晶体管是一种集双极型晶体管(BJT)的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高频、高速大功率半导体器件。    绝缘栅双极型晶体管简称IGBT，是场效应晶体管(MOSFET)和电力晶体管(GTR)组合在一起而形成的。它的主体部分与GTR相同，也有集电极(C)和发射极(E)，而控制极的结构与MOSFET相同，为绝缘栅结构，也称为栅极(G)，如图1-18所示。
    图1-18    绝缘栅双极型晶体管结构示意图    二、绝缘栅双极晶体管的类型    绝缘栅双极晶体管根据其结构主要分为N沟通IGBT和P沟通IGBT两大类，是一种采场效应管作为推动管，大功率晶体管作为输出管的特殊电力电子器件。