1．漏源击穿电压U(BR)DS

    漏源击穿电压U(BR)DS决定了P - MOSFET的最高工作电压，使用时注意结温的影响，结温每升高100℃，U(BR)DS约增加10%。

    2．漏极连续电流ID和漏极峰值电流IDM

    在器件内部温度不超过最高工作温度时，P - MOSFET允许通过的最大漏极连续电流和脉冲电流称为漏极连续电流ID和漏极峰值电流IDM。该电流定额主要受结温的限制，结温高时，应降低定额数值。

    3．栅源击穿电压U(BR)GS

    造成栅源之间绝缘层击穿的电压称为栅源击穿电压U(BR)GS。栅源之间绝缘层很薄，UGS>20 V将发生介质击穿。

    以上三项参数使用时注意留有充分余量。

    4．开启电压UT

    开启电压UT又称为阈值电压，是指沟道体区表面发生强反型层所需的最低栅极电压。开启电压UT与结温有关，呈负温度系数，大约结温每增高45℃，开启电压UT下降10%。

    5．极间电容

    P- MOSFET的极间电容包括CGS、CGD和CDS，其中CGS为栅源电容，CGD是栅漏电容，极间电容是由器件结构的绝缘层形成的。CDS是漏源电容，是由PN结形成的。图3-21所示为P-MOSFET的极间电容等效电路。

    图3-21    P-MOSFET极间电容等效电路

    器件生产厂家通常给出输入电容Cin、输出电容Cout和反馈电容Cf，它们与各极间电容的关系表达式为

   Cin=CGS+CGD    （3-11）

   Gout=CDS+CGD    (3-12)

   Cf=CGD    (3-13)

    6．通态电阻Ron

    在确定的栅源电压UGS下，P - MOSFET由可调电阻区进入饱和区时的直流电阻为通态电阻。