利用晶闸管高电压、大电流技术与MOSFET控制技术的结合,研制成功了MOS晶闸管复合器件,MOS控制晶闸管(MCT)。MCT的典型结构是在SCR结构中集成了一对MOSFET,通过MOSFET来开通和关断晶闸管。MCT具有电压高、电流容量大的特点,阻断电压已达3000V,峰值电流达1000A,最大可判断电流密度为6000A/cm2,并且开关速度快、开关损耗小,是一种很有前途的大功率开关器件。
2017-06-04 73 0
利用晶闸管高电压、大电流技术与MOSFET控制技术的结合,研制成功了MOS晶闸管复合器件,MOS控制晶闸管(MCT)。MCT的典型结构是在SCR结构中集成了一对MOSFET,通过MOSFET来开通和关断晶闸管。MCT具有电压高、电流容量大的特点,阻断电压已达3000V,峰值电流达1000A,最大可判断电流密度为6000A/cm2,并且开关速度快、开关损耗小,是一种很有前途的大功率开关器件。